舒永春，中南大学粉末冶金专业毕业，现任泰达应用物理学院量子材料与器件研究室常务负责人。2021年11月，他因在技术发明领域的突出贡献，获得2020年度国家技术发明奖二等奖。
人物经历
1986年毕业于中南大学、粉末冶金专业，获工学学士； 1999年获中南大学材料学工学硕士学位； 2005年7月获南开大学凝聚态物理专业理学博士学位；1992,2～1994,8：英国Strathclyde大学、材料系，访问学者，从事结构陶瓷研究；1994～1998年任宁夏有色金属冶炼厂科技质量处副处长；1998年任宁夏有色金属冶炼厂科技质量处处长；1999年任宁夏东方业股份有限公司科技部主任；2000年任晶体分厂厂长（兼书记）；2001年任宁夏东方特种材料科技开发股份公司副总经理；1999在英国华威大学大学经济管理学院学习制造工程战略管理；1999年被破格评聘为教授级高级工程师；2002年8月至今，在南开大学泰达应用物理学院工作； 2003年5月起负责量子材料与器件研究室的具体筹建工作，从事MBE材料生长与控制技术研究以及III－V族半导体材料与器件的研发。目前负责一项国家“863”项目（项目编号：2006AA03Z413）和一项天津市重点基金（项目编号：06YFJZJC01100）
研究方向
无铝半导体激器的研发；
光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器的研发；
量子点半导体饱和吸收镜的研发；
半导体材料物理，围绕开发项目展开的材料与器件的物理与光学性质研究。
研究项目
SourceGrant No.Subject国家“863”项目（2006～2008）2006AA03Z413光泵浦1064nm半导体垂直外腔表面发射激光器芯片材料的制备天津市重点基金（2006～2008）06YFJZJC01100光泵浦980nm半导体垂直外腔表面发射激光器芯片的制备国家自然科学基金项目60476042半导体量子点激光材料瞬态光谱特性及超快现象研究
论文
1. “High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy”， Trans. Nonferrous Met. Soc. China, Vol.15 (2), 332-335 (2005)
2. “MBE growth of high electron mobility InP epilayers”， Chinese Journal of Semiconductors, Vol. 36(8), (2005)
3. “Compatibility study on growing high quality modulation doped GaAs and InP/InP epi-layers by solid source molecular beam Epitaxy”， Journal of Synthetic Crystals, Vol.34 (3), 395-398(2005)
4. “alas/GaAs分布布拉格反射镜（DBR）的反射谱拟合与优化生长”，人工晶体学报，Vol.34(6), (2005)
5. “量子点红外探测器的特性与研究进展”，物理, 9, 510 (2005)
6. “调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究”，物理学报，55 1379-1383 (2006)
7. “Effect of Small-angle scattering on the integer quantum Hall 高原”， Chin. Phys. Lett, 23(2) 436-439 (2006)
8. “不同淀积厚度INAS量子点的喇曼散射”，半导体学报，27(6),1012-1015,2006
9. “产生超短脉冲的光泵浦垂直外腔面发射激光器的研究进展”，激光杂志，27(2),9-10,2006
10. “Morphological and electrocal properties of InP grown by SSMBE”，Journal of Crystal Growth，299（2007） 243－247
科技成果
1. “彩电配套用钽粉”火炬计划优秀项目，一等奖，国家科委，国科火字[1998] 51号
2. “40000uFV/g、50000uFV/g超高比容钽粉”，宁夏科技进步奖，一等奖，宁夏科委，1999，10，27
3. “超高比容钽粉和细直径钽丝的开发”，杜邦科技创新奖，国家科技部，2000－C－02
4.“平板显示用高性能ITO靶材关键技术及工程化”项目，2020年度国家技术发明奖二等奖
参考资料
最全！2020年度国家科学技术奖励名单.科学网.2021-11-03